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    由于需求减少:三星计划减少内存芯片产量增幅

    来源:新浪科技 2018-09-21 10:11中国投资咨询网 A-A+

        北京时间9月21日上午消息,据彭博社援引知情人士消息称,鉴于预期需求放缓,三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅,以?#32321;?#20379;应紧缩。

      这家全球最大的NAND以及DRAM芯片制造商预测,DRAM内存的产量位元增长率(bit growth)将低于20%,而NAND闪存的位元增长率将为30%。

      位元增长率指的是内存的产量,这对衡量需求至关重要。

      三星与SK Hynix、Micron Technology一同控制着DRAM以及NAND闪存芯片市场,今年早些时候三星预测2018年DRAM内存和NAND闪存的位元增长率分别为20%和40%。

      三星尚未?#28304;?#28040;息置评。

      芯片设备制造商KLA-Tencor Corp本月曾警告芯片销量将迎来“旱灾”,这引发了大众?#28304;?#30340;忧虑,芯片行业长达两年的超级周期也许将中止。

      “很多人都担心周期达到峰?#25285;?#22240;而减少供应可以支撑定价。?#36824;?#24050;经减少需求,NAND的供应量过多,且SSD也未能按照预计的速度增加销量。”Elazar Advisors的分析师哈依姆·西格尔(Chaim Siegel)说道。

      在第四季度财报公布之前,Rival Micron股价?#38505;?#20102;3%。Western Digital以及 Seagate Technology的股价分别?#38505;?%和2%。

      “这些消息当然会给像Micron以及Western Digital这样的内存公司带来短期利好。”Summit Insights Group分析师Kinngai Chan说道。

      “但是,我们还需要关注未来几个季度内DRAM以及NAND的价格下调比例。”

    关键词:三星 内存芯片
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